ZXT12P12DXTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MSOP-8

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 20 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 150 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

85 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXT12

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300 at 10 mA, 2 V

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 3 A, 2 V, 20 at 12 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

870 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004938 oz

Tags

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