HUFA76619D3ST

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

75 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.0045 S

Abfallzeit:

42 ns, 52 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

82 ns, 30 ns

Werkspackungsmenge:

750

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns, 30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 6 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

HUFA7661, HUFA766, HUFA76, HUFA, HUF