RTQ035P02TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-457T-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

800 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

RTQ035P02

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Teil # Aliase:

RTQ035P02

Tags

RTQ035P02TR, RTQ035P02T, RTQ035P, RTQ035, RTQ03, RTQ0, RTQ