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SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3
Mfr. #:
SI3588DV-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 20V 3.0/2.2A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI3588DV-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI3588DV-T1-E3 DatasheetSI3588DV-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI3588DV-T1-E3 Datasheet (P7-P8)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR
Teil-Aliasnamen
SI3588DV-E3
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET
Paket-Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
6-TSOP
Aufbau
1 N-Channel 1 P-Channel
FET-Typ
N- und P-Kanal
Leistung max
830mW, 83mW
Transistor-Typ
1 N-Channel 1 P-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
2.5A, 570mA
Rds-On-Max-Id-Vgs
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 250μA (Min)
Gate-Lade-Qg-Vgs
7.5nC @ 4.5V
Pd-Verlustleistung
830 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
30 ns 29 ns
Anstiegszeit
30 ns 29 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
2.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
80 mOhms 145 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
28 ns 24 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
12 ns 12 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI3588D, SI3588, SI358, SI35, SI3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6-Pin TSOP T/R
***i-Key
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
***ser
Dual MOSFETs 20V 3.0/2.2A
***nell
MOSFET, P, TSOP-6; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N / P Channel; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:3A; On State Resistance:80mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Case Style:TSOP-6
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:3A; On Resistance, Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Package/Case:TSOP-6 ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, P, TSOP-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV; Power Dissipation Pd:830mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:3A; Current Id Max:3A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):80mohm; Package / Case:TSOP-6; Power Dissipation Pd:830mW; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:450mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI3588DV-T1-E3
DISTI # SI3588DV-T1-E3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI3588DV-T1-E3
    DISTI # SI3588DV-T1-E3CT-ND    		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)    		Limited Supply - Call
      SI3588DV-T1-E3
      DISTI # SI3588DV-T1-E3DKR-ND      		Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®      		Limited Supply - Call
        SI3588DV-T1-E3
        DISTI # 781-SI3588DV-E3        		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 3.0/2.2A
        RoHS: Compliant        		0
          SI3588DV-T1-E3
          DISTI # 1612643RL          		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P, TSOP-6
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$2.1600
          • 10:$1.7400
          • 100:$1.3900
          • 250:$1.2000
          • 500:$1.0400
          • 1000:$0.9660
          • 3000:$0.9320
          SI3588DV-T1-E3
          DISTI # 1612643          		Vishay IntertechnologiesMOSFET, P, TSOP-6
          RoHS: Compliant          		0
          • 1:$2.1600
          • 10:$1.7400
          • 100:$1.3900
          • 250:$1.2000
          • 500:$1.0400
          • 1000:$0.9660
          • 3000:$0.9320
          Bild Teil # Beschreibung
          SI3588DV-T1-GE3

          Mfr.#: SI3588DV-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1-GE3

          		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3585CDV-T1-GE3
          SI3588DV-T1-E3

          Mfr.#: SI3588DV-T1-E3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1-E3-VISHAY

          		 IGBT Transistors MOSFET 20V 3.0/2.2A
          SI3588DV-T1-GE3

          Mfr.#: SI3588DV-T1-GE3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1-GE3-VISHAY

          		 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
          SI3588DV-T1E3

          Mfr.#: SI3588DV-T1E3

          OMO.#: OMO-SI3588DV-T1E3-1190

          		 Neu und Original
          Verfügbarkeit
          Aktie:
          Available
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          0,00 $
          1000
          0,00 $
          0,00 $
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