BSC080P03LS G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS P

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

108 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

87 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

79 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13.5 ns

Teil # Aliase:

BSC080P03LSGAUMA1 BSC8P3LSGXT SP000359664

Tags

BSC080P03LSG, BSC080P, BSC080, BSC08, BSC0, BSC