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SI6973DQ-T1-E3

SI6973DQ-T1-E3
Mfr. #:
SI6973DQ-T1-E3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.8A 4.8W
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI6973DQ-T1-E3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI6973DQ-E3
Gewichtseinheit
0.005573 oz
Montageart
SMD/SMT
Handelsname
TrenchFET
Paket-Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-TSSOP
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
Leistung max
830mW
Transistor-Typ
2 P-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
4.1A
Rds-On-Max-Id-Vgs
30 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 250μA (Min)
Gate-Lade-Qg-Vgs
30nC @ 4.5V
Pd-Verlustleistung
830 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
27 ns
Anstiegszeit
27 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
4.1 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
30 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
93 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
27 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI6973DQ-T, SI6973D, SI6973, SI697, SI69, SI6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
***
DUAL P-CH 1.8V (G-S) MOSFET
***ser
Dual MOSFETs 20V 4.8A 4.8W
***ark
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-4.1A; On Resistance, Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:8-TSSOP ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI6973DQ-T1-E3
DISTI # SI6973DQ-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI6973DQ-T1-E3
    DISTI # 781-SI6973DQ-E3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.8A 4.8W
    RoHS: Compliant    		0
      SI6973DQ-T1
      DISTI # 781-SI6973DQ      		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.8A 4.8W
      RoHS: Not compliant      		0
        Bild Teil # Beschreibung
        SI6973DQ-T1-E3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
        SI6973DQ-T1-E3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-E3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-E3-VISHAY

        		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.8A 4.8W
        SI6973DQ-T1-GE3

        Mfr.#: SI6973DQ-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-GE3-VISHAY

        		 MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP
        SI6973DQ

        Mfr.#: SI6973DQ

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-1190

        		 Neu und Original
        SI6973DQ-T1

        Mfr.#: SI6973DQ-T1

        OMO.#: OMO-SI6973DQ-T1-1190

        		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
        Verfügbarkeit
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        Available
        Auf Bestellung:
        2500
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