ZDT6702TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Darlington-Transistoren

RoHS:

Y

Aufbau:

Dual

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

10 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1.75 A

Maximaler Kollektor-Abschaltstrom:

10 nA

Pd - Verlustleistung:

2.25 W

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-8

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZDT6702

Verpackung:

Spule

DC-Stromverstärkung hFE Max:

5000

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.7 mm

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1.75 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

500 at 4 A, 1000 at 4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

140 MHz

Maximale Betriebsfrequenz:

140 MHz

Produktart:

Darlington-Transistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZDT6702T, ZDT6702, ZDT670, ZDT67, ZDT6, ZDT