IHW30N90T

IHW30N90T
Mfr. #:
IHW30N90T
Hersteller:
Rochester Electronics, LLC
Beschreibung:
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IHW30N90T Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Produktkategorie
IGBTs - Single
Serie
IHW30N90
Verpackung
Rohr
Teil-Aliasnamen
IHW30N90TFKSA1 IHW30N90TXK SP000076322
Gewichtseinheit
1.340411 oz
Montageart
Durchgangsloch
Paket-Koffer
TO-247-3
Aufbau
Single
Pd-Verlustleistung
428 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 40 C
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-Max
900 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.5 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom-bei-25-C
30 A
Maximale Gate-Emitter-Spannung
+/- 20 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom-Ic-Max
30 A
Tags
IHW30N90T, IHW30N9, IHW30N, IHW3, IHW
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Japan
Trans IGBT Chip N-CH 900V 30A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***ronik
IGBT 900V 30A 1.5V TO247-3
***ment14 APAC
IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247
***i-Key
IGBT, 60A, 900V, N-CHANNEL
***el Electronic
IGBT 900V 60A 428W TO247-3
***nell
IGBT+ DIODE,900V,30A,TO247; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 428W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 900V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Operating Temperature Min: -40°C; Operating Temperature Range: -40°C to +175°C; Power Dissipation Max: 428W; Transistor Type: IGBT
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IHW30N90T
DISTI # 30602191
Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant
9
  • 5:$5.2020
IHW30N90TFKSA1
DISTI # IHW30N90TFKSA1-ND
Infineon Technologies AGIGBT 900V 60A 428W TO247-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 240
Container: Tube
Limited Supply - Call
    IHW30N90T
    DISTI # IHW30N90T
    Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: IHW30N90T)
    RoHS: Not Compliant
    Min Qty: 125
    Container: Bulk
    Americas - 0
    • 625:$2.4900
    • 1250:$2.4900
    • 375:$2.5900
    • 250:$2.6900
    • 125:$2.7900
    IHW30N90T
    DISTI # SP000076322
    Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 900V 30A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: SP000076322)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Tube
    Europe - 0
    • 1000:€2.2900
    • 100:€2.3900
    • 500:€2.3900
    • 50:€2.4900
    • 10:€2.5900
    • 25:€2.5900
    • 1:€2.6900
    IHW30N90T
    DISTI # 726-IHW30N90T
    Infineon Technologies AGIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 900V 30A
    RoHS: Compliant
    1
    • 1:$5.6000
    • 10:$4.5000
    • 25:$4.4200
    • 100:$4.1000
    • 250:$3.7000
    • 500:$3.3000
    IHW30N90TInfineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
    RoHS: Compliant
    6670
    • 1000:$2.6300
    • 500:$2.7700
    • 100:$2.8800
    • 25:$3.0100
    • 1:$3.2400
    IHW30N90TFKSA1Infineon Technologies AGInsulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
    RoHS: Compliant
    80
    • 1000:$2.6300
    • 500:$2.7700
    • 100:$2.8800
    • 25:$3.0100
    • 1:$3.2400
    IHW30N90T
    DISTI # 1832367
    Infineon Technologies AGIGBT+ DIODE,900V,30A,TO247
    RoHS: Compliant
    152
    • 1:$3.4300
    Bild Teil # Beschreibung
    IHW30N160R2

    Mfr.#: IHW30N160R2

    OMO.#: OMO-IHW30N160R2

    IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
    IHW30N120R3FKSA1

    Mfr.#: IHW30N120R3FKSA1

    OMO.#: OMO-IHW30N120R3FKSA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    IGBT 1200V 60A 349W TO247-3
    IHW30N1202

    Mfr.#: IHW30N1202

    OMO.#: OMO-IHW30N1202-1190

    Neu und Original
    IHW30N160R2(H30R1602)

    Mfr.#: IHW30N160R2(H30R1602)

    OMO.#: OMO-IHW30N160R2-H30R1602--1190

    Neu und Original
    IHW30N60H3

    Mfr.#: IHW30N60H3

    OMO.#: OMO-IHW30N60H3-1190

    Neu und Original
    IHW30N90T,IKW30N100R,

    Mfr.#: IHW30N90T,IKW30N100R,

    OMO.#: OMO-IHW30N90T-IKW30N100R--1190

    Neu und Original
    IHW30R1103R3

    Mfr.#: IHW30R1103R3

    OMO.#: OMO-IHW30R1103R3-1190

    Neu und Original
    IHW30R1202

    Mfr.#: IHW30R1202

    OMO.#: OMO-IHW30R1202-1190

    Neu und Original
    IHW30N110R3

    Mfr.#: IHW30N110R3

    OMO.#: OMO-IHW30N110R3-126

    IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
    IHW30N160R2

    Mfr.#: IHW30N160R2

    OMO.#: OMO-IHW30N160R2-126

    IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    2000
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    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    3,74 $
    3,74 $
    10
    3,55 $
    35,48 $
    100
    3,36 $
    336,15 $
    500
    3,17 $
    1 587,40 $
    1000
    2,99 $
    2 988,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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