3LN03M-TL-E

3LN03M-TL-E
Mfr. #:
3LN03M-TL-E
Hersteller:
Rochester Electronics, LLC
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
3LN03M-TL-E Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Tags
3LN03M, 3LN03, 3LN0, 3LN
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ied Electronics & Automation
MOSFET, N-CH, 30V, 0.35A, 0.7OHM@4V, MCP
***ark
MOSFET, N CH 30V 0.35A SOT89; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:30V; Current, Id Cont:0.35A; On State Resistance:0.9ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Typ Voltage Vgs th:1.3V; Case Style:MCP; ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N CH 30V 0.35A SOT89; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Typ Voltage Vds:30V; Cont Current Id:0.35A; On State Resistance:0.9ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Typ Voltage Vgs th:1.3V; Case Style:MCP; Termination Type:SMD; Power Dissipation:0.15W; Transistor Case Style:MCP
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
3LN03M-TL-EON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RoHS: Compliant
159000
  • 1000:$0.1600
  • 100:$0.1700
  • 500:$0.1700
  • 25:$0.1800
  • 1:$0.1900
3LN03M-TL-ESANYO Semiconductor Co LtdPower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RoHS: Compliant
1987
  • 1000:$0.4000
  • 500:$0.4200
  • 100:$0.4300
  • 25:$0.4500
  • 1:$0.4900
Bild Teil # Beschreibung
3LN03M

Mfr.#: 3LN03M

OMO.#: OMO-3LN03M-1190

Neu und Original
3LN03M-TL

Mfr.#: 3LN03M-TL

OMO.#: OMO-3LN03M-TL-1190

Neu und Original
3LN03M-TL-E

Mfr.#: 3LN03M-TL-E

OMO.#: OMO-3LN03M-TL-E-1190

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
3LN03SS

Mfr.#: 3LN03SS

OMO.#: OMO-3LN03SS-1190

Neu und Original
3LN03SS-TL

Mfr.#: 3LN03SS-TL

OMO.#: OMO-3LN03SS-TL-1190

Neu und Original
3LN03SS-TL-E

Mfr.#: 3LN03SS-TL-E

OMO.#: OMO-3LN03SS-TL-E-1190

Neu und Original
3LN03SS-TL-E  /

Mfr.#: 3LN03SS-TL-E /

OMO.#: OMO-3LN03SS-TL-E--1190

Neu und Original
3LN03SSTLE

Mfr.#: 3LN03SSTLE

OMO.#: OMO-3LN03SSTLE-1190

Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von 3LN03M-TL-E dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
0,24 $
0,24 $
10
0,23 $
2,28 $
100
0,22 $
21,60 $
500
0,20 $
102,00 $
1000
0,19 $
192,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top