2SD1863TV2R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

Montageart:

Durchgangsloch

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

80 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

180 at 500 mA, 3 V

Höhe:

4.4 mm

Länge:

6.8 mm

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

180

Pd - Verlustleistung:

1200 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SD186, 2SD18, 2SD1, 2SD