PBSS3540M,315

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DFN-1006-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

6 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

300 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200 at 10 mA, 2 V

Höhe:

0.47 mm

Länge:

1.02 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

0.62 mm

Marke:

Nexperia

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 10 mA, 2 V, 150 at 100 mA, 2 V, 40 at 500 mA, 2 V

Pd - Verlustleistung:

430 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Qualifikation:

AEC-Q101

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

PBSS3540M T/R

Gewichtseinheit:

0.000028 oz

Tags

PBSS3540M, PBSS354, PBSS35, PBSS3, PBSS, PBS