FDMC0310AS-F127

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-33-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

76 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.6 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

37 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

36 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

106 S

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

FDMC0310AS_F127

Gewichtseinheit:

0.010582 oz

Tags

FDMC03, FDMC0, FDMC, FDM