2N6715

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-237-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

500 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2N6715

DC-Stromverstärkung hFE Max:

55 at 10m at 1 V

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Pd - Verlustleistung:

2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2N6715, 2N671, 2N67, 2N6