ZHB6792TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SM-8

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Quad

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

70 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

70 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

100 MHz, 150 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZHB67

DC-Stromverstärkung hFE Max:

500

Höhe:

1.6 mm

Länge:

6.7 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

500 at 100 mA, 2 V at NPN, 400 at 500 mA, 2 V at NPN, 150 at 1 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 250 at 500 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP

Pd - Verlustleistung:

2000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZHB679, ZHB6, ZHB