DMN3035LWN-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

V-DFN3020-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.9 nC, 9.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.78 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3 mm

Produkt:

Enhancement Mode MOSFET

Serie:

DMN3035

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

Enhancement Mode MOSFET

Breite:

3 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

2 ns, 2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.3 ns, 3.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10.6 ns, 10.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns, 3 ns

Tags

DMN303, DMN30, DMN3, DMN