NTZD5110NT5G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

294 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.55 mm

Länge:

1.6 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.2 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

7.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.3 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

63.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

NTZD5110NT, NTZD5, NTZD, NTZ