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IPP12CN10N G

IPP12CN10N G
Mfr. #:
IPP12CN10N G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 67A TO220-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPP12CN10N G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
67 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
12.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
125 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
8 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
21 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
17 ns
Teil # Aliase:
IPP12CN10NGXK
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
IPP12CN10NG, IPP12CN10N, IPP12CN1, IPP12C, IPP12, IPP1, IPP
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPP12CN10N G
DISTI # IPP12CN10NG-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 67A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPP12CN10NGXKSA1
    DISTI # IPP12CN10NGXKSA1-ND    		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 67A TO-220
    RoHS: Compliant
    Container: Tube    		Limited Supply - Call
      IPP12CN10N G
      DISTI # 726-IPP12CN10NG      		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 67A TO220-3
      RoHS: Compliant      		0
        IPP12CN10NGInfineon Technologies AGPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 67A I(D), 100V, 0.0129OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB338
        • 255:$1.0915
        • 117:$1.1800
        • 1:$2.3600
        Bild Teil # Beschreibung
        IPP12CN10L G

        Mfr.#: IPP12CN10L G

        OMO.#: OMO-IPP12CN10L-G

        		 MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2
        IPP12CNE8N G

        Mfr.#: IPP12CNE8N G

        OMO.#: OMO-IPP12CNE8N-G

        		 MOSFET N-Ch 85V 67A TO220-3
        IPP12CNE8N G

        Mfr.#: IPP12CNE8N G

        OMO.#: OMO-IPP12CNE8N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

        		 MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
        IPP12CN10LGXK

        Mfr.#: IPP12CN10LGXK

        OMO.#: OMO-IPP12CN10LGXK-1190

        		 Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Rail/Tube (Alt: IPP12CN10LGXKSA1)
        IPP12CN10L G,12CN10L,IPP

        Mfr.#: IPP12CN10L G,12CN10L,IPP

        OMO.#: OMO-IPP12CN10L-G-12CN10L-IPP-1190

        		 Neu und Original
        IPP12CN10LG

        Mfr.#: IPP12CN10LG

        OMO.#: OMO-IPP12CN10LG-1190

        		 Trans MOSFET N-CH 100V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-220
        IPP12CN10LG,IPP12CN10L G

        Mfr.#: IPP12CN10LG,IPP12CN10L G

        OMO.#: OMO-IPP12CN10LG-IPP12CN10L-G-1190

        		 Neu und Original
        IPP12CN10LGXKSA1 , 2SD81

        Mfr.#: IPP12CN10LGXKSA1 , 2SD81

        OMO.#: OMO-IPP12CN10LGXKSA1-2SD81-1190

        		 Neu und Original
        IPP12CN10NG

        Mfr.#: IPP12CN10NG

        OMO.#: OMO-IPP12CN10NG-1190

        		 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 67A I(D), 100V, 0.0129OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
        IPP12CN10L G

        Mfr.#: IPP12CN10L G

        OMO.#: OMO-IPP12CN10L-G-124

        		 Darlington Transistors MOSFET N-Ch 100V 69A TO220-3 OptiMOS 2
        Verfügbarkeit
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        Available
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