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IXFH60N60X

IXFH60N60X
Mfr. #:
IXFH60N60X
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH60N60X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH60N60X DatasheetIXFH60N60X Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFH60N60X Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
55 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
143 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
890 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
13 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
23 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
27 ns
Tags
IXFH60N6, IXFH60, IXFH6, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 60A TO247
***S
new, original packaged
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH60N60X
DISTI # IXFH60N60X-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 60A TO247
RoHS: Compliant
Min Qty: 60
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 60:$9.6350
IXFH60N60X2A
DISTI # IXFH60N60X2A		IXYS CorporationTransistor: N-MOSFET,600V,60A,780W,TO247-3,180ns30
  • 30:$7.3600
  • 10:$8.1900
  • 3:$9.2700
  • 1:$10.3000
Bild Teil # Beschreibung
IXFH6N100F

Mfr.#: IXFH6N100F

OMO.#: OMO-IXFH6N100F

 MOSFET HiPerRF Power Mosfet 1000V 6A
IXFH6N100

Mfr.#: IXFH6N100

OMO.#: OMO-IXFH6N100

 MOSFET 1KV 6A
IXFH67N10

Mfr.#: IXFH67N10

OMO.#: OMO-IXFH67N10

 MOSFET 67 Amps 100V
IXFH60N20

Mfr.#: IXFH60N20

OMO.#: OMO-IXFH60N20

 MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds
IXFH60N20F

Mfr.#: IXFH60N20F

OMO.#: OMO-IXFH60N20F-1190

 MOSFET
IXFH60N60X

Mfr.#: IXFH60N60X

OMO.#: OMO-IXFH60N60X-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 600V 60A TO247
IXFH60N65X2-4

Mfr.#: IXFH60N65X2-4

OMO.#: OMO-IXFH60N65X2-4-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH
IXFH69N30P

Mfr.#: IXFH69N30P

OMO.#: OMO-IXFH69N30P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds
IXFH66N20Q

Mfr.#: IXFH66N20Q

OMO.#: OMO-IXFH66N20Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 66 Amps 200V 0.04 Rds
IXFH6N100

Mfr.#: IXFH6N100

OMO.#: OMO-IXFH6N100-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 1KV 6A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
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Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
13,51 $
13,51 $
10
12,16 $
121,60 $
25
10,12 $
253,00 $
50
9,40 $
470,00 $
100
9,19 $
919,00 $
250
8,39 $
2 097,50 $
500
7,65 $
3 825,00 $
1000
7,30 $
7 300,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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