TPN2R805PL,L1Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSON-Advance-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

45 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

139 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

39 nC

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

TPN2R805PL

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.4 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

34 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.000705 oz

Tags

TPN2R8, TPN2R, TPN2, TPN