ZVN4106FTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

330 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.02 mm

Länge:

3.04 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZVN4106

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

FET

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

150 mS

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZVN4106FTA, ZVN4106FT, ZVN4106F, ZVN41, ZVN4, ZVN