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RN1704JE(TE85L,F)

RN1704JE(TE85L,F)
Mfr. #:
RN1704JE(TE85L,F)
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1704JE(TE85L,F) Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
Aufbau:
Dual
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
47 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
1
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
ESV-5
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
80
Maximale Betriebsfrequenz:
250 MHz
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
100 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Spule
Emitter- Basisspannung VEBO:
10 V
Marke:
Toshiba
Kanalmodus:
Erweiterung
Maximaler DC-Kollektorstrom:
100 mA
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
4000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1704JE(T, RN1704J, RN1704, RN170, RN17, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Americas
Transistor 50V/100mA Dual-transistor
***nsix Microsemi
0.1A I(C) 2-Element NPN Silicon
***i-Key
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Bild Teil # Beschreibung
RN1704JE(TE85L,F)

Mfr.#: RN1704JE(TE85L,F)

OMO.#: OMO-RN1704JE-TE85L-F-

 Bipolar Transistors - Pre-Biased ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
RN1704JE(TE85LF)CT-ND

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OMO.#: OMO-RN1704JE-TE85LF-CT-ND-1190

 Neu und Original
RN1704JE(TE85LF)DKR-ND

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 Neu und Original
RN1704JE(TE85LF)TR-ND

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RN1704JE

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14,70 $
500
0,12 $
58,50 $
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