FCB290N80

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

17 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

290 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, 30 V

Qg - Gate-Ladung:

58 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

212 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperFET II

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FCB290N80

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

20 S

Abfallzeit:

2.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

61 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Gewichtseinheit:

0.046296 oz

Tags

FCB2, FCB