FQB12N60CTM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

650 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

225 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.83 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

QFET

Breite:

9.65 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

13 S

Abfallzeit:

90 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

85 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

155 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Teil # Aliase:

FQB12N60CTM_NL

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

FQB12N60C, FQB12N6, FQB12N, FQB12, FQB1, FQB