SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7792DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7792DP-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI7792DP-GE3
Gewichtseinheit
0.017870 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SO-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single mit Schottky-Diode
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
104 W
Abfallzeit
12 ns
Anstiegszeit
13 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
60 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
1.7 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
40 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
15 ns
Qg-Gate-Ladung
90 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
83 S
Tags
SI7792, SI779, SI77, SI7
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7792DP-T1-GE3
DISTI # SI7792DP-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI7792DP-T1-GE3
    DISTI # 78-SI7792DP-T1-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRC10DP-T1-GE3
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SI7792DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7792DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7792DP-T1-GE3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRC10DP-T1-GE3
      SI7792DP-T1-GE3

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      OMO.#: OMO-SI7792DP-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
      SI7792DP

      Mfr.#: SI7792DP

      OMO.#: OMO-SI7792DP-1190

      Neu und Original
      SI7792DP-T1-E3

      Mfr.#: SI7792DP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7792DP-T1-E3-1190

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