KSC1009GTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3 Kinked Lead

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

140 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

160 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

8 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.7 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

50 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.2 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

4.19 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

KSC1009, KSC100, KSC10, KSC1, KSC