IPP110N20NAXK

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

88 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

87 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

41 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Teil # Aliase:

IPP110N20NAAKSA1 SP000877672

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

IPP110N20NA, IPP110N2, IPP110, IPP11, IPP1, IPP