IRF7604TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Micro-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

90 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

13 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.8 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.11 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.6 S

Abfallzeit:

38 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

53 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

31 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Teil # Aliase:

SP001554362

Gewichtseinheit:

0.070548 oz

Tags

IRF7604T, IRF7604, IRF760, IRF76, IRF7, IRF