SI2309CDS-T1-E3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

345 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

1 V

Qg - Gate-Ladung:

4.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.45 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

SI2

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.6 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.8 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

SI2309CDS-E3

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

SI2309CDS-T1, SI2309CDS-T, SI2309C, SI2309, SI230, SI23, SI2