IPP072N10N3GXK

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

80 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.2 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

68 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

15.65 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

50 S

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

37 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Teil # Aliase:

G IPP072N10N3 IPP072N10N3GXKSA1 SP000680830

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

IPP072N10N3GX, IPP072N10N3, IPP072, IPP07, IPP0, IPP