TSM60NB099PW C1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

38 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

86 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

62 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

329 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

N-Kanal Leistungs-MOSFET

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24 ns

Werkspackungsmenge:

500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

87 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Tags

TSM60NB09, TSM60NB0, TSM60NB, TSM60N, TSM60, TSM6, TSM