FQP18N20V2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

18 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

140 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

123 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11 S

Abfallzeit:

62 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

133 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

38 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

FQP18, FQP1, FQP