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IPI08CN10N G

IPI08CN10N G
Mfr. #:
IPI08CN10N G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 100V 95A I2PAK-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPI08CN10N G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
95 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
8.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
167 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.45 mm
Länge:
10.2 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
6 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
24 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
15 ns
Teil # Aliase:
IPI08CN10NGXK
Gewichtseinheit:
0.084199 oz
Tags
IPI08CN1, IPI08C, IPI08, IPI0, IPI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ment14 APAC
MOSFET, N CH, 95A, 100V, PG-TO262-3
***nell
MOSFET, N CH, 95A, 100V, PG-TO262-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 95A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 167W; Transistor Case Style: TO-262; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); Current Id Max: 95A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vgs Max: 20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPI08CN10N G
DISTI # IPI08CN10NG-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI08CN10N G
    DISTI # 726-IPI08CN10NG    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 100V 95A I2PAK-3
    RoHS: Compliant    		0
      IPI08CN10N G
      DISTI # 1775603      		Infineon Technologies AGMOSFET, N CH, 95A, 100V, PG-TO262-3
      RoHS: Compliant      		0
      • 2500:$1.9700
      • 1000:$2.1000
      • 500:$2.1800
      • 250:$2.3400
      • 100:$2.6400
      • 25:$2.9500
      • 10:$3.6500
      • 1:$4.4300
      Bild Teil # Beschreibung
      IPI08CN10N G

      Mfr.#: IPI08CN10N G

      OMO.#: OMO-IPI08CN10N-G

      		 MOSFET N-Ch 100V 95A I2PAK-3
      IPI08CN10N

      Mfr.#: IPI08CN10N

      OMO.#: OMO-IPI08CN10N-1190

      		 Neu und Original
      IPI08CN10N G

      Mfr.#: IPI08CN10N G

      OMO.#: OMO-IPI08CN10N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
      IPI08CN10NG

      Mfr.#: IPI08CN10NG

      OMO.#: OMO-IPI08CN10NG-1190

      		 Neu und Original
      IPI08CN10NS

      Mfr.#: IPI08CN10NS

      OMO.#: OMO-IPI08CN10NS-1190

      		 Neu und Original
      IPI08CNE8N G

      Mfr.#: IPI08CNE8N G

      OMO.#: OMO-IPI08CNE8N-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
      IPI08CNE8NG

      Mfr.#: IPI08CNE8NG

      OMO.#: OMO-IPI08CNE8NG-1190

      		 Neu und Original
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