STP7N52DK3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

620 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.15 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

34 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

90 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Serie:

STP7N52DK3

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Channel SuperFREDmesh3 Power MOSFET

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.5 S

Abfallzeit:

4.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP7N5, STP7N, STP7, STP