FDMS86369-F085

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

65 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

35 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

107 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

FDMS86369_F085

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

FDMS86369_F085

Gewichtseinheit:

0.006095 oz

Tags

FDMS8636, FDMS863, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM