IPG20N10S4L35AATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Qg - Gate-Ladung:

17.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

43 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3 ns

Teil # Aliase:

IPG20N10S4L-35A SP001091928

Tags

IPG20N10S4L, IPG20N1, IPG20, IPG2, IPG