FDS8333C

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V, 20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

FDS8333C

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

1.5 ns, 2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns, 13 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns, 11 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns, 4.5 ns

Teil # Aliase:

FDS8333C_NL

Gewichtseinheit:

0.008127 oz

Tags

FDS833, FDS83, FDS8, FDS