ZXMN15A27KTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

150 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

650 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

6.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

4.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ZXMN15

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.8 S

Abfallzeit:

13.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12.7 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.3 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

ZXMN1, ZXMN, ZXM