275-102N06A-00

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

HF-MOSFET-Transistoren

RoHS:

Y

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Technologie:

Si

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1000 V

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.5 Ohms

Ausgangsleistung:

590 W

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SMD-6

Verpackung:

Rohr

Arbeitsfrequenz:

100 MHz

Typ:

HF-Leistungs-MOSFET

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Produktart:

HF-MOSFET-Transistoren

Qg - Gate-Ladung:

46 nC

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Tags

275-10, 275-1, 275