BSZ050N03MS G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS 3M

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

3.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.2 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.7 ns

Teil # Aliase:

BSZ050N03MSGATMA1 BSZ5N3MSGXT SP000311518

Tags

BSZ050N03MSG, BSZ050N03MS, BSZ050N03M, BSZ050N, BSZ050, BSZ05, BSZ0, BSZ