BSZ023N04LSATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

37 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

69 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

BSZ023N04

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

55 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

38 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Teil # Aliase:

SP000953208

Tags

BSZ02, BSZ0, BSZ