NVMFS5826NLT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-FL-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

26 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

17 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

39 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Serie:

NVMFS5826NL

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.003781 oz

Tags

NVMFS582, NVMFS58, NVMFS5, NVMFS, NVMF, NVM