RM100N60T2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Rectron

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

85 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

170 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Rectron

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

50 S

Abfallzeit:

13.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10.8 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16.8 ns

Tags

RM100, RM10, RM1