UT6JA2TCR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

HUML2020L-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

55 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

6.7 nC, 6.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.5 S, 2.5 S

Abfallzeit:

13 ns, 13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.1 ns, 9.1 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns, 26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.4 ns, 7.4 ns

Teil # Aliase:

UT6JA2

Tags

UT6JA, UT6J, UT6