BST40TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-89-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

250 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

70 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

BST40

DC-Stromverstärkung hFE Max:

40 at 20 mA, 10 V

Höhe:

1.6 mm

Länge:

4.6 mm

Breite:

2.6 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004603 oz

Tags

BST40, BST4, BST