IRF7322D1PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

62 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

700 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

FETKY-MOSFET und Schottky-Diode

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5.9 S

Abfallzeit:

49 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

95

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

SP001572002

Gewichtseinheit:

0.019048 oz

Tags

IRF7322D, IRF7322, IRF732, IRF73, IRF7, IRF