ZXM64P03XTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

75 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

3.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

6.2 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.2 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

40 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.4 ns

Gewichtseinheit:

0.004938 oz

Tags

ZXM64P03XT, ZXM64P03X, ZXM64P03, ZXM64P, ZXM64, ZXM6, ZXM