FQP2P40-F080

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

400 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

- 10 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

501 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

16.3 mm

Länge:

10.67 mm

Serie:

FQP2P40

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

4.7 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.42 S

Entwicklungs-Kit:

-

Abfallzeit:

60 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

75 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Teil # Aliase:

FQP2P40_F080

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

FQP2P4, FQP2P, FQP2, FQP