CSD17313Q2Q1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WSON-FET-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

32 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

2.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.3 W

Aufbau:

Single

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Serie:

CSD17313Q2Q1

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S

Abfallzeit:

1.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.9 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000307 oz

Tags

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