IXFN60N60

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

75 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

380 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HyperFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

12.22 mm

Länge:

38.23 mm

Serie:

IXFN60N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HiPerFET Leistungs-MOSFET

Breite:

25.42 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

40 S

Abfallzeit:

26 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

52 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

110 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

43 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

IXFN60, IXFN6, IXFN, IXF