FQD3P50TM-AM002BLT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.9 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

23 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

50 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FQD3P50

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.1 S

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

56 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

FQD3P50TM_AM002BLT

Gewichtseinheit:

0.011993 oz

Tags

FQD3P50TM, FQD3P50T, FQD3P5, FQD3P, FQD3, FQD